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GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7
SFH 420 SFH 425
fpl06724 SFH 420 TOPLED(R)
3.4 3.0
2.4
0.8 0.6 Cathode/Collector marking Approx. weight 0.03 g
1.1 0.5
0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector
GPL06724
(2.4)
2.8 2.4
4.2 3.8 0.7
3.7 3.3
Cathode/ Collector
2.54 spacing
1.1 0.9 Anode/ Emitter
(2.85)
GPL06880
Collector/Cathode marking
(2.9)
(R1)
3.8 3.4
SFH 425 SIDELED(R) fpl06867
4.2 3.8
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad q Gute Linearitat (Ie = f [IF]) bei hohen Stromen q Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb moglich q Hohe Zuverlassigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Oberflachenmontage geeignet q Gegurtet lieferbar q SFH 420 Gehausegleich mit SFH 320/421 SFH 425 Gehausegleich mit SFH 325/426 q SFH 425: Nur fur IR-Reflow-Lotung geeignet. Bei Schwallotung wenden Sie sich bitte an uns.
Features q Very highly efficient GaAs-LED q Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents q DC (with modulation) or pulsed operations are possible q High reliability q High pulse handling capability q Suitable for surface mounting (SMT) q Available on tape and reel q SFH 420 same package as SFH 320/421 SFH 425 same package as SFH 325/426 q SFH 425: Suitable only for IR-reflow soldering. In case of dip soldering, please contact us first.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
SFH 420 SFH 425
Anwendungen q Miniaturlichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln"
Applications q Miniature photointerrupters q Industrial electronics q For drive and control circuits
Typ Type
Bestellnummer Ordering Code
Gehause Package Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED SIDELED
SFH 420 SFH 425
Q62702-P1690 Q62702-P0330
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 100 100 5 100 3 160 450 Einheit Unit C C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot
RthJA Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgroe je 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each Warmewiderstand Sperrschicht - Lotstelle bei RthJS Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block
200
K/W
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 420 SFH 425
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm
55
nm
60 0.09 0.3 x 0.3 0.5
Grad deg. mm2 mm s
A LxB LxW tr, tf
Co
25
pF
VF VF IR
1.3 ( 1.5) 2.3 ( 2.8) 0.01 ( 1)
V V A
e
14
mW
TCI
- 0.5
%/K
IF = 100 mA
TCV TC
-2 + 0.3
mV/K nm/K
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 420 SFH 425
Gruppierung der Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping at radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s
Relative spectral emission Irel = f ()
100 %
OHR01938
Symbol Ie
Werte Values > 2.5
Einheit Unit mW/sr
Ie typ.
38
mW/sr
Radiant intensity
Ie = f (IF) Ie 100 mA
OHR01551
Single pulse, tp = 20 s
e e 100 mA 10 2 A
Max. permissible forward current IF = f (TA)
120
OHR00883
F mA
100
rel
80
10 1
80
60 10 0 40
R thjA = 450 K/W
60
40
10 -1 20
20
0 880
920
960
1000
nm
1060
10 -2 10 -3
10 -2
10 -1
10 0 A F
10 1
0
0
20
40
60
80
100 C 120 TA
Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s
10 1 A
OHR01554
Radiation characteristics Srel = f ()
40 30 20 10 0
OHL01660
1.0
F
10 0
50
0.8
0.6 60
10 -1
70
0.4
0.2
10 -2
80 90 100 0
10 -3 1 2 3 4 V 5
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
VF
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 420 SFH 425
Lothinweise Soldering conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplotung Dip, wave and drag soldering Lotbadtemperatur Maximal zulassige Lotzeit Max. perm. soldering time 10 s - Abstand Lotstelle - Gehause Distance between solder joint and case - - Reflowlotung Reflow soldering Lotzonentemperatur Maximale Durchlaufzeit
Temperature of the soldering bath TOPLED SIDELED 260 C -
Temperature of soldering zone 245 C : 225 C
Max. transit time
10 s 10 s
Zusatzliche Informationen uber allgemeine Lotbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff. For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on page 169ff.
Permissible pulse handling capability IF = f (tp) duty cycle D = parameter, TA = 20 C
10 4
OHR00860
F mA 5
D = 0.005
0.01
tp D= tp T T
F
0.02 10 3 0.1 0.2 0.05
5
0.5
DC 10 2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp
Semiconductor Group
5
1997-11-01

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